- Samsung gaat 400-laags NAND-chip uitbrengen voor AI-datacenters
- Nieuwe BV NAND-technologie verhoogt de dichtheid en minimaliseert de warmteopbouw
- Plannen voor 1.000-laags NAND tegen 2030 om de capaciteit uit te breiden
Samsung werkt eraan om tegen 2026 een recordbrekende 400-laags verticale NAND-flashchip te lanceren, zo beweren rapporten.
Een rapport van de Korea Economisch Dagblad zegt dat de Device Solutions (DS)-divisie van Samsung tot doel heeft de NAND-flashmarkt vooruit te helpen met zijn geavanceerde V10 NAND, ontworpen om te voldoen aan de stijgende vraag in AI-datacenters.
De geheugenroutekaart van het bedrijf, zoals uiteengezet in het rapport, toont plannen voor een geavanceerde NAND van de 10e generatie die bondingtechnologie zal gebruiken om geheugencellen en de randcircuits afzonderlijk op verschillende wafers te bouwen, en deze later in één enkele chip te versmelten. Deze nieuwe aanpak staat bekend als bonding verticale NANDFlash (BV NAND) en minimaliseert de warmteontwikkeling en maximaliseert zowel de capaciteit als de prestaties, waardoor wat Samsung heeft beschreven als een ‘droom-NAND voor AI’ ontstaat.
1.000 lagen in 2030
Het BV NAND-ontwerp, met een 1,6x hogere bitdichtheid per oppervlakte-eenheid, ondersteunt solid-state drives (SSD's) met ultrahoge capaciteit, ideaal voor AI-toepassingen.
De huidige 286-laags V9 NAND-chips van Samsung markeerden een belangrijke mijlpaal, maar de 400-laags V10 zal naar verwachting de capaciteitslimieten opnieuw definiëren, waardoor mogelijk de opslagdrempel van 200 TB voor ultragrote AI hyperscaler SSD's wordt overschreden, terwijl de energie-efficiëntie wordt verbeterd.
Voor toekomstige releases is 's werelds grootste geheugenchipmaker van plan om in 2027 de 11e generatie V11 NAND te introduceren met een 50% hogere gegevensoverdrachtsnelheid, waardoor de prestaties voor veeleisende gegevensopslagbehoeften verder worden geoptimaliseerd.
De ambitieuze NAND-roadmap van Samsung gaat zelfs nog verder, met plannen voor chips die tegen 2030 meer dan 1.000 lagen zullen bevatten. KED rapporten. Deze vooruitgang is bedoeld om Samsung voorop te houden in de NAND-markt met hoge capaciteit, waar de vraag wordt gestimuleerd door AI-toepassingen die uitgebreide opslagoplossingen vereisen om grote hoeveelheden gegevens te verwerken.
In de DRAM-sector streeft Samsung ernaar om tegen eind 2024 de zesde generatie 1c DRAM en de zevende generatie 1d DRAM uit te brengen, gericht op gebruik in hoogwaardige AI-chips. Volgens de Korea Economisch Dagblad Volgens het rapport heeft het bedrijf ook plannen voor sub-10 nm 0a DRAM tegen 2027, waarbij gebruik wordt gemaakt van een verticale kanaaltransistorstructuur voor meer stabiliteit en efficiëntie.
