- De 321-laags NAND van SK Hynix richt zich op AI-gestuurde gegevensopslagbehoeften
- 321-laags NAND-flash verbetert de gegevensoverdrachtsnelheid met 12%
- De vereisten voor AI-opslag stimuleren innovatie in NAND-oplossingen met hoge capaciteit
Samsung en SK Hynix hebben hun onderlinge strijd op de markt voor NAND-flashgeheugen voortgezet, waarbij laatstgenoemde het voortouw heeft genomen met een nieuwe lancering.
SK Hynix, ’s werelds op één na grootste geheugenchipmaker, is onlangs de eerste geworden die triple-level cell (TLC) NAND-flash met meer dan 300 lagen in massa produceert.
De nieuwe 321-laags, 1-terabit TLC 4D NAND-flash van het bedrijf, die onlangs is aangekondigd, zal een revolutie teweegbrengen in de gegevensopslagindustrie en de weg vrijmaken voor meer betaalbare solid-state drives met ultrahoge capaciteit (SSD’s) met een capaciteit van meer dan 100 TB.
SK Hynix 321-laags NAND
De NAND-industrie haast zich om de grenzen van de dataopslagtechnologie te verleggen, en de prestatie van SK Hynix is een belangrijke mijlpaal.
Na de lancering van de 238-laags NAND-flitser vorig jaar, zet de nieuwste 321-laags NAND-flitser van SK Hynix een nieuwe industriestandaard. Het bedrijf is van plan deze chips vanaf de eerste helft van 2025 aan klanten te leveren, gericht op de snel groeiende kunstmatige intelligentie (AI) markt, die krachtige, energiezuinige opslagoplossingen vereist.
De 321-laags NAND werd mogelijk gemaakt door de „Three Plugs“-procestechnologie van SK Hynix, waarbij drie pluggen elektrisch worden aangesloten via een geoptimaliseerde vervolgstap, waardoor de snelheid, de energie-efficiëntie en de algehele prestaties van de chips aanzienlijk worden verbeterd.
SK Hynix ontwikkelde ook een materiaal met lage spanning en introduceerde technologie die de uitlijning tussen de pluggen automatisch corrigeert om het productieproces verder te optimaliseren.
Het 321-laags product biedt een toename van 12% in de gegevensoverdrachtsnelheid en een verbetering van 13% in de leesprestaties vergeleken met de vorige 238-laags NAND. Bovendien vermindert het het stroomverbruik met meer dan 10%. Met een productiviteitsverbetering van 59% biedt de nieuwe NAND van SK Hynix een verbeterde opslagoplossing voor AI-datacenters en AI-toepassingen op apparaten.
Hoewel SK Hynix deze historische prestatie heeft geleverd, blijft zijn belangrijkste concurrent, Samsung, niet ver achter. Samsung wel naar verluidt werkend aan een 400-laags NAND-flashchipdie het tegen 2026 wil uitbrengen.
De routekaart van het bedrijf omvat onder meer de ontwikkeling van bonding verticale NAND-technologie (BV NAND), die een nog grotere opslagdichtheid en een minimale warmteopbouw mogelijk zal maken. Het langetermijndoel van Samsung is om tegen 2030 NAND-chips met meer dan 1.000 lagen te introduceren, waarmee mogelijk de opslagbarrière van 200 TB voor AI-aangedreven SSD’s wordt doorbroken.
„SK Hynix ligt op koers om door te groeien naar de Full Stack Al Memory Provider door een perfect portfolio toe te voegen in de ultra-high performance NAND-ruimte bovenop de DRAM-activiteiten onder leiding van HBM“, aldus Jungdal Choi, hoofd NAND Development bij SK Hynix. .
Via KEDGlobal
